IPU103N08N3 G
Modèle de produit IPU103N08N3 G
Fabricant International Rectifier (Infineon Technologies)
La description MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3
Quantité disponible 2533 pcs new original in stock.
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Informations techniques de IPU103N08N3 G
Référence fabricant IPU103N08N3 G Catégorie Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant International Rectifier (Infineon Technologies) La description MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3
Paquet / cas Tube Quantité disponible 2533 pcs
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 46µA La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur PG-TO251-3 Séries OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.3 mOhm @ 46A, 10V Dissipation de puissance (max) 100W (Tc)
Emballage Tube Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) Type de montage Through Hole
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2410pF @ 40V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V
type de FET N-Channel Fonction FET -
Tension drain-source (Vdss) 80V Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A (Tc)
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