| SI7958DP-T1-GE3 | |
|---|---|
| Modèle de produit | SI7958DP-T1-GE3 |
| Fabricant | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| La description | MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8 |
| Quantité disponible | 798513 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
| Modèle ECAD | |
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| Informations techniques de SI7958DP-T1-GE3 | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | SI7958DP-T1-GE3 | Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
| Fabricant | Electro-Films (EFI) / Vishay | La description | MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8 |
| Paquet / cas | Tape & Reel (TR) | Quantité disponible | 798513 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | Package composant fournisseur | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Séries | TrenchFET® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.5 mOhm @ 11.3A, 10V |
| Puissance - Max | 1.4W | Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | PowerPAK® SO-8 Dual | Autres noms | SI7958DP-T1-GE3TR SI7958DPT1GE3 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 75nC @ 10V |
| type de FET | 2 N-Channel (Dual) | Fonction FET | Logic Level Gate |
| Tension drain-source (Vdss) | 40V | Description détaillée | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 7.2A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 7.2A | Numéro de pièce de base | SI7958 |
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