| SI7447ADP-T1-GE3 | |
|---|---|
| Modèle de produit | SI7447ADP-T1-GE3 |
| Fabricant | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| La description | MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8 |
| Quantité disponible | 3195 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
| Modèle ECAD | |
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| Informations techniques de SI7447ADP-T1-GE3 | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | SI7447ADP-T1-GE3 | Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
| Fabricant | Electro-Films (EFI) / Vishay | La description | MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8 |
| Paquet / cas | Tape & Reel (TR) | Quantité disponible | 3195 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | Vgs (Max) | ±25V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | PowerPAK® 1212-8 |
| Séries | TrenchFET® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 24A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 5.4W (Ta), 83.3W (Tc) | Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | PowerPAK® 1212-8 | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4650pF @ 15V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 10V | type de FET | P-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 30V | Description détaillée | P-Channel 30V 35A (Tc) 5.4W (Ta), 83.3W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 35A (Tc) | SI7447ADP-T1-GE3 Détails PDF [English] | SI7447ADP-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
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