DGD1503S8-13
Modèle de produit DGD1503S8-13
Fabricant Diodes Incorporated
La description IC GATE DRVR HALF BRIDGE SO-8
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Informations techniques de DGD1503S8-13
Référence fabricant DGD1503S8-13 Catégorie Circuits intégrés (CI)
Fabricant Diodes Incorporated La description IC GATE DRVR HALF BRIDGE SO-8
Paquet / cas Tape & Reel (TR) Quantité disponible 2861 pcs
Tension - Alimentation 10 V ~ 20 V Package composant fournisseur 8-SO
Séries - Rise / Fall Time (Typ) 70ns, 35ns
Emballage Tape & Reel (TR) Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ) Nombre de conducteurs 2
Type de montage Surface Mount Tension logique - VIL, VIH 0.8V, 2.5V
Type d'entrée Non-Inverting Côté haut potentiel - Max (Bootstrap) 250V
Type de porte IGBT, N-Channel MOSFET Configuration pilotée Half-Bridge
Current - Peak Output (Source, Évier) 290mA, 600mA courant de charge Independent
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