| C2M0160120D | |
|---|---|
| Modèle de produit | C2M0160120D |
| Fabricant | Cree |
| La description | MOSFET N-CH 1200V 17.7A TO-247 |
| Quantité disponible | 4083 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
| Modèle ECAD | |
| Feuilles de données | C2M0160120D.pdf |
| Télécharger | C2M0160120D Détails PDF |
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| Informations techniques de C2M0160120D | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | C2M0160120D | Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
| Fabricant | Cree | La description | MOSFET N-CH 1200V 17.7A TO-247 |
| Paquet / cas | Tube | Quantité disponible | 4083 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 500µA | Vgs (Max) | +25V, -10V |
| La technologie | SiCFET (Silicon Carbide) | Package composant fournisseur | TO-247-3 |
| Séries | Z-FET™ | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 196 mOhm @ 10A, 20V |
| Dissipation de puissance (max) | 125W (Tc) | Emballage | Tube |
| Package / Boîte | TO-247-3 | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 527pF @ 800V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 32.6nC @ 20V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 20V |
| Tension drain-source (Vdss) | 1200V (1.2kV) | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 17.7A (Tc) |
| C2M0160120D Détails PDF [English] | C2M0160120D PDF - EN.pdf | ||
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