ESH3B V7G
Modèle de produit ESH3B V7G
Fabricant TSC (Taiwan Semiconductor)
La description DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
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Informations techniques de ESH3B V7G
Référence fabricant ESH3B V7G Catégorie Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant TSC (Taiwan Semiconductor) La description DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
Paquet / cas Quantité disponible 2537 pcs
Tension - inverse (Vr) (max) 100V Package composant fournisseur DO-214AB (SMC)
La vitesse Fast Recovery = 200mA (Io) Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 20ns Package / Boîte DO-214AB, SMC
Autres noms ESH3B V7G-ND
ESH3BV7G
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 175°C
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 8 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Type de diode Standard Description détaillée Diode Standard 100V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC)
Courant - fuite, inverse à Vr 5µA @ 100V Courant - Rectifié moyenne (Io) 3A
Capacité à Vr, F 45pF @ 4V, 1MHz  
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