| STD3NK80Z-1 | |
|---|---|
| Modèle de produit | STD3NK80Z-1 |
| Fabricant | STMicroelectronics |
| La description | MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAK |
| Quantité disponible | 6481 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
| Modèle ECAD | |
| Feuilles de données | STD3NK80Z-1.pdf |
| Télécharger | STD3NK80Z-1 Détails PDF |
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| Informations techniques de STD3NK80Z-1 | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | STD3NK80Z-1 | Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
| Fabricant | STMicroelectronics | La description | MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAK |
| Paquet / cas | Tube | Quantité disponible | 6481 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA | Vgs (Max) | ±30V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | I-PAK |
| Séries | SuperMESH™ | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 Ohm @ 1.25A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 70W (Tc) | Emballage | Tube |
| Package / Boîte | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | Autres noms | 497-12557-5 STD3NK80Z-1-ND STD3NK80Z1 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 485pF @ 25V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | Tension drain-source (Vdss) | 800V |
| Description détaillée | N-Channel 800V 2.5A (Tc) 70W (Tc) Through Hole I-PAK | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 2.5A (Tc) |
| STD3NK80Z-1 Détails PDF [English] | STD3NK80Z-1 PDF - EN.pdf | ||
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| Action STD3NK80Z-1 | Prix STD3NK80Z-1 | STD3NK80Z-1 Electronique | |||
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