2SC3356-T2B
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Modèle de Produit

2SC3356-T2B

Introduction

Le 2SC3356-T2B est un transistor RF à jonction NPN en silicium, offrant des performances élevées.

Marque et Fabricant

NEC

Caractéristiques

Produits à large bande avec un gain élevé, facteur de bruit faible, haute fréquence de transition et excellente linéarité.

Performance du Produit

Optimisé pour les opérations à basse tension, adapté à l'amplification à haute fréquence, tout en maintenant des performances stables sur une large plage de températures.

Spécifications Techniques

Type : Transistor RF NPN, Conditionnement : SOT23, Fréquence de transition : 7 GHz minimum, Tension collecteur-émiteur (Vceo) : 12 V, Courant collecteur (Ic) : 50 mA, Dissipation de puissance (Pd) : 200mW.

Dimensions, Forme et Conditionnement

Type d'emballage : SOT23, Conditionné en bande et bobine pour les processus d'assemblage automatique.

Qualité et Fiabilité

Fabriqué selon des normes strictes de contrôle qualité, garantissant une performance fiable et constante.

Avantages du Produit

Performance à haute fréquence adaptée aux applications RF, emballage SOT23 compact idéal pour les applications à espace restreint.

Compétitivité du Produit

Offre un avantage compétitif dans la conception de circuits RF et micro-ondes en raison de ses caractéristiques de haute performance.

Compatibilité

Compatible avec la plupart des conceptions de circuits RF standards et des mises en page de circuits imprimés.

Certification et Conformité aux Normes

Conforme aux normes internationales de qualité et d'environnement.

Durée de Vie et Durabilité

Conçu pour une longue durée de vie opérationnelle dans des conditions spécifiées, tous les composants sont sans plomb et respectent les normes de durabilité environnementale.

Champs d'Application Réels

Utilisé dans les équipements de communications mobiles, idéal pour les amplificateurs à faible bruit dans les systèmes de communication sans fil et adapté aux circuits d'oscillation dans les applications RF et micro-ondes.

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