SMUN5311DW1T2G
Modèle de produit SMUN5311DW1T2G
Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
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Informations techniques de SMUN5311DW1T2G
Référence fabricant SMUN5311DW1T2G Catégorie Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor La description TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
Paquet / cas Tape & Reel (TR) Quantité disponible 2566 pcs
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Package composant fournisseur SC-88/SC70-6/SOT-363
Séries - Résistance - Base de l'émetteur (R2) 10 kOhms
Résistance - Base (R1) 10 kOhms Puissance - Max 187mW
Emballage Tape & Reel (TR) Package / Boîte 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Autres noms SMUN5311DW1T2G-ND
SMUN5311DW1T2GOSTR
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Délai de livraison standard du fabricant 40 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Fréquence - Transition -
Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 187mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA
Numéro de pièce de base MUN53**DW1  
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