NTZS3151PT1G | |
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Modèle de produit | NTZS3151PT1G |
Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
La description | MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT-563 |
Quantité disponible | 4000 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
Modèle ECAD | |
Feuilles de données | NTZS3151PT1G.pdf |
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Informations techniques de NTZS3151PT1G | |||
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Référence fabricant | NTZS3151PT1G | Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | La description | MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT-563 |
Paquet / cas | Tape & Reel (TR) | Quantité disponible | 4000 pcs |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA | Vgs (Max) | ±8V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | SOT-563 |
Séries | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150 mOhm @ 950mA, 4.5V |
Dissipation de puissance (max) | 170mW (Ta) | Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | SOT-563, SOT-666 | Autres noms | NTZS3151PT1GOSTR |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Délai de livraison standard du fabricant | 46 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 458pF @ 16V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 5.6nC @ 4.5V | type de FET | P-Channel |
Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 1.8V, 4.5V |
Tension drain-source (Vdss) | 20V | Description détaillée | P-Channel 20V 860mA (Ta) 170mW (Ta) Surface Mount SOT-563 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 860mA (Ta) | NTZS3151PT1G Détails PDF [English] | NTZS3151PT1G PDF - EN.pdf |
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