NSBC123JF3T5G
Modèle de produit NSBC123JF3T5G
Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123
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Informations techniques de NSBC123JF3T5G
Référence fabricant NSBC123JF3T5G Catégorie Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor La description TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123
Paquet / cas Tape & Reel (TR) Quantité disponible 2669 pcs
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type NPN - Pre-Biased Package composant fournisseur SOT-1123
Séries - Résistance - Base de l'émetteur (R2) 47 kOhms
Résistance - Base (R1) 2.2 kOhms Puissance - Max 254mW
Emballage Tape & Reel (TR) Package / Boîte SOT-1123
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 4 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 254mW Surface Mount SOT-1123 Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA
Numéro de pièce de base NSBC1*  
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