NSBC114EDXV6T1G | |
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Modèle de produit | NSBC114EDXV6T1G |
Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
La description | TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 |
Quantité disponible | 40253 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
Modèle ECAD | |
Feuilles de données | NSBC114EDXV6T1G.pdf |
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Informations techniques de NSBC114EDXV6T1G | |||
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Référence fabricant | NSBC114EDXV6T1G | Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | La description | TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 |
Paquet / cas | Tape & Reel (TR) | Quantité disponible | 40253 pcs |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V | Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) | Package composant fournisseur | SOT-563 |
Séries | - | Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 10 kOhms |
Résistance - Base (R1) | 10 kOhms | Puissance - Max | 500mW |
Emballage | Tape & Reel (TR) | Package / Boîte | SOT-563, SOT-666 |
Autres noms | NSBC114EDXV6T1GOS NSBC114EDXV6T1GOS-ND NSBC114EDXV6T1GOSTR |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Délai de livraison standard du fabricant | 22 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Fréquence - Transition | - |
Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563 | Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 500nA | Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA |
Numéro de pièce de base | NSBC1* | NSBC114EDXV6T1G Détails PDF [English] | NSBC114EDXV6T1G PDF - EN.pdf |
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Action NSBC114EDXV6T1G | Prix NSBC114EDXV6T1G | NSBC114EDXV6T1G Electronique | |||
Composants NSBC114EDXV6T1G | NSBC114EDXV6T1G Inventaire | NSBC114EDXV6T1G Digikey | |||
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