| NCP5359DR2G | |
|---|---|
| Modèle de produit | NCP5359DR2G |
| Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| La description | IC GATE DRIVER VR11.1/AMD 8-SOIC |
| Quantité disponible | 3108 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
| Modèle ECAD | |
| Feuilles de données | NCP5359DR2G.pdf |
| NCP5359DR2G Price |
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| Informations techniques de NCP5359DR2G | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | NCP5359DR2G | Catégorie | Circuits intégrés (CI) |
| Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | La description | IC GATE DRIVER VR11.1/AMD 8-SOIC |
| Paquet / cas | Tape & Reel (TR) | Quantité disponible | 3108 pcs |
| Tension - Alimentation | 10 V ~ 13.2 V | Package composant fournisseur | 8-SOIC |
| Séries | - | Rise / Fall Time (Typ) | 16ns, 11ns |
| Emballage | Tape & Reel (TR) | Package / Boîte | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Autres noms | NCP5359DR2G-ND NCP5359DR2GOSTR |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 150°C (TJ) |
| Nombre de conducteurs | 2 | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 3 (168 Hours) | Tension logique - VIL, VIH | 1V, 2V |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Type d'entrée | Non-Inverting |
| Côté haut potentiel - Max (Bootstrap) | 35V | Type de porte | N-Channel MOSFET |
| Configuration pilotée | Half-Bridge | Description détaillée | Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC |
| Current - Peak Output (Source, Évier) | - | courant de charge | Synchronous |
| Numéro de pièce de base | NCP5359 | ||
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