MUN5235DW1T1 | |
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Modèle de produit | MUN5235DW1T1 |
Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
La description | TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 |
Quantité disponible | 2681 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
Modèle ECAD | |
Feuilles de données | MUN5235DW1T1.pdf |
MUN5235DW1T1 Price |
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Informations techniques de MUN5235DW1T1 | |||
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Référence fabricant | MUN5235DW1T1 | Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | La description | TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 |
Paquet / cas | Tape & Reel (TR) | Quantité disponible | 2681 pcs |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V | Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) | Package composant fournisseur | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Séries | - | Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 47 kOhms |
Résistance - Base (R1) | 2.2 kOhms | Puissance - Max | 250mW |
Emballage | Tape & Reel (TR) | Package / Boîte | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant | Fréquence - Transition | - |
Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 | Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 500nA | Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA |
Numéro de pièce de base | MUN52**DW1T | ||
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