MUN5235DW1T1
Modèle de produit MUN5235DW1T1
Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
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Informations techniques de MUN5235DW1T1
Référence fabricant MUN5235DW1T1 Catégorie Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor La description TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Paquet / cas Tape & Reel (TR) Quantité disponible 2681 pcs
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Package composant fournisseur SC-88/SC70-6/SOT-363
Séries - Résistance - Base de l'émetteur (R2) 47 kOhms
Résistance - Base (R1) 2.2 kOhms Puissance - Max 250mW
Emballage Tape & Reel (TR) Package / Boîte 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Contains lead / RoHS non-compliant Fréquence - Transition -
Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA
Numéro de pièce de base MUN52**DW1T  
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