| FQP6N80C | |
|---|---|
| Modèle de produit | FQP6N80C |
| Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| La description | MOSFET N-CH 800V 5.5A TO-220 |
| Quantité disponible | 23018 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
| Modèle ECAD | |
| Feuilles de données | FQP6N80C.pdf |
| Télécharger | FQP6N80C Détails PDF |
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| Informations techniques de FQP6N80C | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | FQP6N80C | Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
| Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | La description | MOSFET N-CH 800V 5.5A TO-220 |
| Paquet / cas | Tube | Quantité disponible | 23018 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±30V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | TO-220-3 |
| Séries | QFET® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 Ohm @ 2.75A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 158W (Tc) | Emballage | Tube |
| Package / Boîte | TO-220-3 | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 27 Weeks | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1310pF @ 25V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | Tension drain-source (Vdss) | 800V |
| Description détaillée | N-Channel 800V 5.5A (Tc) 158W (Tc) Through Hole TO-220-3 | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 5.5A (Tc) |
| FQP6N80C Détails PDF [English] | FQP6N80C PDF - EN.pdf | ||
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