FJN3306RTA
Modèle de produit FJN3306RTA
Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
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Informations techniques de FJN3306RTA
Référence fabricant FJN3306RTA Catégorie Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor La description TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
Paquet / cas Tape & Box (TB) Quantité disponible 2695 pcs
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type NPN - Pre-Biased Package composant fournisseur TO-92-3
Séries - Résistance - Base de l'émetteur (R2) 47 kOhms
Résistance - Base (R1) 10 kOhms Puissance - Max 300mW
Emballage Tape & Box (TB) Package / Boîte TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Fréquence - Transition 250MHz
Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 300mW Through Hole TO-92-3 Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 100nA (ICBO) Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA
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