FDZ201N
Modèle de produit FDZ201N
Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description MOSFET N-CH 20V 9A BGA
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Informations techniques de FDZ201N
Référence fabricant FDZ201N Catégorie Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor La description MOSFET N-CH 20V 9A BGA
Paquet / cas Tape & Reel (TR) Quantité disponible 2568 pcs
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Vgs (Max) ±12V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) Package composant fournisseur 12-BGA (2x2.5)
Séries PowerTrench® Rds On (Max) @ Id, Vgs 18 mOhm @ 9A, 4.5V
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta) Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 12-WFBGA Autres noms FDZ201N-ND
FDZ201NTR
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1127pF @ 10V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V
type de FET N-Channel Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V Tension drain-source (Vdss) 20V
Description détaillée N-Channel 20V 9A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 12-BGA (2x2.5) Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9A (Ta)
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