| FDS3912 | |
|---|---|
| Modèle de produit | FDS3912 |
| Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| La description | MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC |
| Quantité disponible | 30000 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
| Modèle ECAD | |
| Feuilles de données | FDS3912.pdf |
| FDS3912 Price |
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| Informations techniques de FDS3912 | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | FDS3912 | Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
| Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | La description | MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC |
| Paquet / cas | Tape & Reel (TR) | Quantité disponible | 30000 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | Package composant fournisseur | 8-SO |
| Séries | PowerTrench® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 3A, 10V |
| Puissance - Max | 900mW | Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 632pF @ 50V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V | type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Fonction FET | Logic Level Gate | Tension drain-source (Vdss) | 100V |
| Description détaillée | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 3A 900mW Surface Mount 8-SO | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 3A |
| Télécharger | FDS3912 PDF - EN.pdf | ||
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