FDMS3664S
Modèle de produit FDMS3664S
Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description MOSFET 2N-CH 30V 13A/25A 8-PQFN
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Informations techniques de FDMS3664S
Référence fabricant FDMS3664S Catégorie Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor La description MOSFET 2N-CH 30V 13A/25A 8-PQFN
Paquet / cas Digi-Reel® Quantité disponible 66426 pcs
Vgs (th) (Max) @ Id 2.7V @ 250µA Package composant fournisseur Power56
Séries PowerTrench® Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 mOhm @ 13A, 10V
Puissance - Max 1W Emballage Original-Reel®
Package / Boîte 8-PowerTDFN Autres noms FDMS3664SDKR
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Délai de livraison standard du fabricant 39 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1765pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V type de FET 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Fonction FET Logic Level Gate Tension drain-source (Vdss) 30V
Description détaillée Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 13A, 25A 1W Surface Mount Power56 Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 13A, 25A
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