FDG6318P
Modèle de produit FDG6318P
Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6
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Informations techniques de FDG6318P
Référence fabricant FDG6318P Catégorie Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor La description MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6
Paquet / cas Tape & Reel (TR) Quantité disponible 33864 pcs
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Package composant fournisseur SC-70-6
Séries - Rds On (Max) @ Id, Vgs 780 mOhm @ 500mA, 4.5V
Puissance - Max 300mW Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Autres noms FDG6318P-ND
FDG6318PFSTR
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 83pF @ 10V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 1.2nC @ 4.5V
type de FET 2 P-Channel (Dual) Fonction FET Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss) 20V Description détaillée Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 500mA 300mW Surface Mount SC-70-6
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 500mA FDG6318P Détails PDF [English] FDG6318P PDF - EN.pdf
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