IXYS Corporation
IXYS Corporation

- IXYS Corporation propose une large gamme de semi-conducteurs de haute puissance, comprenant des MOSFET de puissance à résistance de coupure faible, des IGBT à commutation ultra rapide, des diodes de récupération rapide (FRED), des modules de SCR et de diodes, des ponts de redresseur et des circuits d'interface de puissance

Image

Part Number

Description

ECAD
Model

Quote

IGBT 300V 75A 460W TO247

IGBT 600V 200A 695W TO247

MOSFET N-CH 600V 18A TO-247

DIODE SCHOTTKY 180V 23A TO263AB

IGBT 1200V 70A 300W TO247

IGBT 600V 24A 100W TO220

DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC

1700V/85A HIGH VOLTAGE XPT IGBT

IGBT 160A 600V SOT-227B

IGBT 600V 75A 300W TO247

MOSFET N-CH 500V 24A TO-247AD

IC BRIDGE DRVR 3PH 500MA 44-PLCC

MOSFET N-CH 250V 100A PLUS247

DIODE MODULE 600V 96A SOT227B

MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS 247

DIODE ARRAY GP 1200V 11A TO220AB

MOSFET N-CH 600V 7A TO-220

IGBT 600V 100A SOT-227B

MOSFET N-CH 650V 120A TO-264

3-PHASE BRIDGE RECT 1200V 40A

IC DRVR HALF BRIDGE GATE 14-SOIC

MOSFET N-CH 300V 40A TO-268

IC MOSFET DRIVR LS 4A DUAL 8SOIC

MOSFET N-CH 500V 8A D2-PAK

DIODE RECT FAST 1.2KV 30A TO247

DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD

DIODE SCHOTTKY 25V 6A TO252AA

DIODE SCHOTTKY 250V 18A TO252AA

IC CURRENT REGULATOR DPAK

IGBT 600V 24A 100W TO220AB

MOSFET P-CH 200V 48A TO-247

IGBT 600V 60A 200W TO268

IGBT 600V 60A 220W TO263

IGBT 600V 60A 150W TO247AD

MOSFET N-CH 900V 10A TO-247AD

MOSFET N-CH 75V 160A TO-3P

IGBT 600V 75A 300W TO268

MOSFET N-CH 500V 35A ISOPLUS247

IGBT 1000V 50A 200W TO247AD

RF MOSFET N-CHANNEL DE275

IGBT 600V 24A 100W TO263AA

IGBT 1200V 36A 180W TO220

MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-263

MOSFET P-CH 600V 16A TO-247

IC MOSFET DRIVER DUAL 2A 8-SOIC

DIODE ARRAY 1600V 45A ISOPLUS247

DIODE GEN 1.2KV 30A ISOPLUS247

DIODE MODULE 1.4KV 113A TO240AA

Email: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966AJOUTER: 2703-27F Ho King Comm Centre 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.